高效MOS：CMB180P04G
高效MOS：CMB180P04G
CMB180P04G是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的溝槽工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供非常優(yōu)秀的RDS（ON），非常適用于先進(jìn)的高效開關(guān)應(yīng)用，廣泛應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。是一款高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
卓越的電氣特性
CMB180P04G的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMB180P04G的耐壓（BVDSS）為-40V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是 -180A。
雪崩能量：CMB180P04G采用Cmos先進(jìn)的溝槽技術(shù)，100%雪崩能量測(cè)試，單次雪崩能量EAS為1152mJ。
低熱阻：CMB180P04G采用TO-263封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.36℃/W。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為-10V時(shí)，CMB180P04G的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有4.0mΩ。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效，在產(chǎn)品應(yīng)用中更高效。
低開關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，和低開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMB180P04G 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用電路，包括不限于負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路、LED控制、電機(jī)控制等。
MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時(shí)的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗。通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMB180P04G中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。
