文檔幫助中心
廣應用MOS：CMSC055N06
CMSC055N06是采用廣東場效應半導體有限公司（Cmos）先進的SGT技術設計生產，具有非常卓越的RDS（ON）?？捎糜隈R達控制，DC-DC轉換等，非常適合作低側開關應用，應用范圍非常廣泛。是一款易驅動，高效、可靠的優(yōu)秀MOS管。
卓越的電氣特性
CMSC055N06的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMSC055N06的耐壓（BVDSS）為60V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是 90A。
雪崩能量：CMSC055N06采用Cmos先進的SGT技術，100%雪崩能量測試，單次雪崩能量EAS為110mJ。
低熱阻：CMSC055N06采用DFN-8 3.3X3.3封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結到殼的熱阻（RθJC）為1.71℃/W。
低導通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMSC055N06的導通電阻（RDS(on)）最大只有5mΩ。低導通電阻降低了導通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效，在產品應用中更高效。
低開關損耗：低QG、結電容，使其具有優(yōu)越的開關性能、易驅動，以及低開關損耗。
適用范圍廣泛
CMSC055N06 由于其優(yōu)異的特性，非常適合作低側開關應用，應用范圍非常廣泛?？捎糜隈R達控制，DC-DC轉換等。
MOS管的低熱阻、低導通電阻直接決定管子工作時的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結電容，使管子有較好的開關特性及低開關損耗。通過優(yōu)化半導體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMSC055N06中，使其在電路應用中表現出色，能夠在各種高應力環(huán)境下穩(wěn)定工作。
上一篇：高效MOS：CMB180P04G
