高載功率+超低導(dǎo)通電阻=CMP073N15
高載功率+超低導(dǎo)通電阻=CMP073N15
前言
隨著新材料的發(fā)現(xiàn)和半導(dǎo)體制程工藝的提高，摩爾定律對于集成電路的影響逐漸放緩。材料鄰域，如碳納米管（CNT）的合成，超原子半導(dǎo)體材料Re6Se8CI2的發(fā)現(xiàn)等等這些新型材料在電學、熱學和力學方面均達到了理想的性能，是集成半導(dǎo)體鄰域強有力的支撐；制程工藝，LSI、MCU、CMOS集成單片等大中小不同集成規(guī)模的Chip,通過優(yōu)化制造的鍵合工藝，如在CMOS集成單片鄰域最常用的SiO2直接鍵合、金屬鍵合、粘結(jié)鍵合以及混合鍵合方法，如MCU和LSI常用的BGA球柵陣列鍵合在集成芯片自身寄生參數(shù)的控制上幾乎實現(xiàn)了標準化控制，如果將氧化硅直接鍵合、混合鍵合等常規(guī)鍵合與BGA鍵合巧妙移位或結(jié)合，可以確定的是對于半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展將產(chǎn)生積極的影響，勢必將會在熱學、力學和電學方面表現(xiàn)俱佳，將有力推動分立器件高速發(fā)展。
相比于新材料的研發(fā)，通過優(yōu)化制程工藝更能快速投入并實現(xiàn)商業(yè)化運作。作為國產(chǎn)知名半導(dǎo)體封測企業(yè)，場效應(yīng)半導(dǎo)體（Cmos）持續(xù)在分立型和集成型CMOS單片（互補金屬氧化物半導(dǎo)體)領(lǐng)域不斷優(yōu)化器件制程工藝。立足于平面和溝槽兩大基礎(chǔ)工藝，不斷融合鍵合方式，優(yōu)化提高鍵合工藝，形成了近百項具有自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路專利。CMP073N15 MOSFET采用場效應(yīng)半導(dǎo)體全新一代柵極分割改進溝槽工藝開發(fā)，以其高效能、低損耗和高穩(wěn)定性的特點迅速成為電機驅(qū)動、BMS和UPS儲能等設(shè)備設(shè)計中的理想選擇。
CMP073N15核心優(yōu)勢
1.封裝形式
考慮到市場開發(fā)板的設(shè)計和使用習慣， CMP073N15 MOSFET提供了四種封裝形式，均為標準尺寸封裝，具體封裝和內(nèi)部拓撲結(jié)構(gòu)見下圖。
2．Product Data Sheet
（1）基礎(chǔ)參數(shù)
最大漏極-源極電壓（VDS）：150V,提供了足夠的電壓余量以應(yīng)對大多數(shù)換流器DC-DC轉(zhuǎn)換和BMS應(yīng)用。連續(xù)漏極電流（ID）：160A，使得該器件適用于高功率Load控制，滿足高功率應(yīng)用的需求。工作結(jié)溫（TJ）：-55~150℃廣泛的工作溫度使得該器件在極端環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，保障了在高緯度、高海拔和沙漠等惡劣條件下的安全性。
3.應(yīng)用領(lǐng)域
憑借其優(yōu)越的電氣性能和廣泛的適應(yīng)性，CMP073N15 已在多個領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用與驗證，尤其適合高效能、低功耗和高可靠性要求的系統(tǒng)。以下是該器件的幾個主要應(yīng)用領(lǐng)域，突出其優(yōu)勢：
（1）開關(guān)電源
CMP073N15 的低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和低開關(guān)損耗使其成為高效開關(guān)電源的理想選擇，尤其適合需要高效率轉(zhuǎn)換和快速響應(yīng)的模塊，如DC-DC模塊中的LLC電路，同步整流等電路。低導(dǎo)通電阻（RDS(on)MAX = 7mΩ@10V）降低了導(dǎo)通損耗，提高了電源通態(tài)下的轉(zhuǎn)換效率。超高的開關(guān)響應(yīng)效率，進一步降低了開關(guān)動態(tài)損耗，整體降低了系統(tǒng)的總功耗，提高了能量轉(zhuǎn)換效率。典型應(yīng)用：用于電源 DC-DC模塊中LLC電路、同步整流電路、Motor Driver，確保高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率輸出。
（2）電池管理
CMP073N15在電池管理系統(tǒng)（BMS）中的應(yīng)用，能夠高效控制電池的充電、放電過程。高耐壓和低功耗特性使其在電池管理中表現(xiàn)優(yōu)異，配合管理IC能夠有效避免過壓、過流、欠壓等危險情況。典型應(yīng)用：用于 BMS、UPS等充放電控制系統(tǒng)，提升電池組的續(xù)航能力的同時為其安全性保駕護航。
（3）負載開關(guān)
在控制高電流負載的場合，CMP073N15提供160A的持續(xù)載流能力，并且其導(dǎo)通電阻低，能有效驅(qū)動高功率負載。連續(xù)漏電流達到160A，足以支持大功率負載的控制開關(guān)。典型應(yīng)用：如 LED照明、加熱器以及其他高功率設(shè)備，保障了設(shè)備在高功率負載下穩(wěn)定、高效運行。
（4）換流器（Inverter）
CMP073N15可用于逆變器和整流器電路，因其優(yōu)秀的制造工藝，實現(xiàn)了高效的電能轉(zhuǎn)換。高耐壓性能和低開關(guān)損耗有助于減少能量損失并提高整體效率。典型應(yīng)用：用于太陽能逆變器、電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng) 和 AC/DC整流器，確保電能的高效轉(zhuǎn)換和減少能源浪費。
（5）汽車電子
CMP073N15因其寬泛的工作溫度（-55~150℃）和超高可靠性，是汽車電子的理想之選。高可靠性使其能夠保障汽車在惡劣環(huán)境下依然穩(wěn)定、安全的工作，具備了汽車電子設(shè)備的需求。典型應(yīng)用：如 高速無刷電機控制、ECU中控系統(tǒng)，確保了汽車電動和智能化系統(tǒng)的長期穩(wěn)定運行。
（6）工業(yè)控制
在工業(yè)控制系統(tǒng)中，CMP073N15則可以提供精準、穩(wěn)定的控制能力，廣泛應(yīng)用于自動化控制領(lǐng)域。低功耗和高性能使其在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中表現(xiàn)出色，確保系統(tǒng)的高效運行和精確控制。典型應(yīng)用：可廣泛用于 PLC工控、Servo Motor和Stepper Motor，為工業(yè)自動化和多矢量性機器人提供可靠的電力驅(qū)動和控制精度。
總結(jié)
CMP073N15集合了低導(dǎo)通電阻、高耐壓、低開關(guān)損耗 等多項特點，成為各種高效能電源系統(tǒng)和高功率應(yīng)用的理想選擇。無論是在開關(guān)電源、BMS，還是在汽車電子、PLC工控等重要領(lǐng)域，CMP073N15都展現(xiàn)了其卓越的性能，為用戶實現(xiàn)了更高效、更可靠的解決方案。
在現(xiàn)代電力電子產(chǎn)品設(shè)計中，選擇可靠安全的MOSFET器件成為關(guān)鍵，而 CMP073N15等場效應(yīng)半導(dǎo)體的系列產(chǎn)品無疑是尋求最大價值的理想之選。
關(guān)注場效應(yīng)半導(dǎo)體（m.zyxgsj.cn），我們將繼續(xù)為您尋求最大價值。
