CMD840 MOS是一款采用平面工藝設(shè)計(jì)的高壓小電流FET，作為電子工程師我們都知道，平面工藝FET很多電性特征參數(shù)都與內(nèi)部晶片大小息息相關(guān)。
CMF65R140是Cmos推出新一代650V功率超結(jié)MOSFET，可用于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源、太陽能（PV）功率調(diào)節(jié)器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）和其他工業(yè)應(yīng)用。
CMSC012N06是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的SGT工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)，采用DFN-8 3.3x3.3封裝，能夠減小PCB板尺寸和提高空間利用率，是緊湊型DC-DC電源、高能效電源、同步整流電源的優(yōu)選MOS。
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，各類分立器件應(yīng)用已經(jīng)非常廣泛。金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET），以其低功耗、高頻率開關(guān)速度的特點(diǎn)在現(xiàn)代電路中得到大力發(fā)展。但是隨著功率開關(guān)場效應(yīng)晶體管朝著高頻化發(fā)展，針對場效應(yīng)開關(guān)管的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)要求也愈來愈高。
CMD8N50是廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司通過調(diào)研市場使用環(huán)境，有針對性的專門開發(fā)的一款高壓小電流型應(yīng)用半導(dǎo)體器件。
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